SK hynix vyvíjí 16‑GB čipy LPDDR6 s propustností 10,7 Gb/s pro flagmanová zařízení nové generace

SK hynix ukazuje první 16‑Gb/s LPDDR6 na 10 nm „1c“ technologickém procesu

Krátkodobá paměť 16‑gigabitová LPDDR6 (1c) – první v odvětví produkt vyrobený na 10 nm šesté generaci.
Datum demonstrace CES 2026: společnost poprvé představila hotový čip a dokončila první průmyslovou kontrolu.
Cílová skupina: smartphony a tablety s „AI‑on‑device“ (zpracování umělé inteligence přímo na zařízení).

Klíčové technické ukazatele
Ukazatel | Hodnota | Srovnání
---|---|---
Přenosová rychlost | > 10,7 Gb/s (základní) | +33 % oproti LPDDR5X
Úspora energie | 20 % lepší | Díky subkanálové struktuře a DVFS

- Subkanály umožňují aktivovat pouze potřebné datové trasy, což šetří energii.
- DVFS (Dynamic Voltage & Frequency Scaling) dynamicky upravuje napětí a frekvenci podle zátěže.

Jak to ovlivňuje uživatelský zážitek
Zatížení | Chování paměti | Vysoké (hry, AI‑aplikace) | Nízké (texty, sociální sítě)
---|---|---|---
Vysoké | Zvyšuje propustnost, zlepšuje výkon. |
Nízké | Snižuje frekvenci a napětí, šetří baterii.

Očekává se zlepšení autonomie a multitaskingu mobilních zařízení.

Plán spuštění
- Příprava na sériovou výrobu – první polovina roku 2026.
- První dodávky – druhá polovina roku 2026.

SK hynix tvrdí, že nový LPDDR6 rozšíří řadu DRAM pro mobilní zařízení zaměřená na umělou inteligenci a podpoří rostoucý trend zavádění AI‑výpočtů přímo do telefonů a tabletů.