Samsung na Computex 2026 představil prototyp paměti HBM5 Stack

Samsung Electronics – první kroky k HBM5

Nedávno Samsung Electronics oznámil zahájení dodávek vzorků paměti HBM4E, ale zároveň aktivně vyvíjí další generaci – HBM5. Na výstavbě Computex 2025 společnost ukázala pouze velký model čipu HBM5, aby poskytla obecný přehled o jeho struktuře. Už nyní je patrné, že technologie bude složitá a náročná.

Klíčové detaily vývoje
Parametr Co dělá Samsung Základní krystal Samostatná výroba na 2‑nm technologickém procesu Počet vrstev DRAM Od 12 do 20 (technologie třídy 1c) Transistory GAA Plánuje se použít v 2‑nm čipech Technologický proces pod 1 nm Společnost je přesvědčena, že ho bude schopna ovládnout v budoucnu
Technický ředitel oddělení Samsung Electronics Son Chee Hyeok (Song Jaehyuk) potvrdil účast společnosti na vývoji a zavádění těchto technologií. Přítomnost kontraktního oddělení umožňuje splnit požadavky nejpřísnějších klientů, včetně Nvidia.

Porovnání s HBM4E
* HBM4E používá 4‑nm základní krystal a technologický proces 1c pro výrobu DRAM‑čipů, které tvoří paměťovou vrstvu.

* HBM5 nabídne:

* Tenký krystal (2 nm) a flexibilnější počet vrstev (12–20).

* Heat Path Block (HPB) – kanál pro odvod tepla pro efektivní chlazení.

* Zvýšenou rychlost přenosu dat díky vylepšené architektuře.

Technologie HPB je již vyzkoušena na příkladu HBM4E a Samsung plánuje použít pokročilé metody odvádění tepla pro zvýšení stability paměti. Masová výroba HBM5 je naplánována od roku 2028, a v rámci HBM5E budou DRAM krystaly vyráběny podle pokročilejšího technologického procesu 1d.

Co dělají konkurenti
* SK hynix používá podobnou technologii chlazení – iHBM. To znamená, že řešení Samsung není unikátní z hlediska odvádění tepla.

* SK hynix rovněž zavádí 2‑nm čipy v rámci HBM5 a plánuje masovou výrobu s využitím iHBM.

Závěr
Samsung Electronics již vyvíjí HBM5 na bázi 2‑nm technologického procesu, předpokládá až 20 vrstev DRAM a inovativní odvod tepla HPB. Masový vývoz je naplánován na rok 2028, a konkurenti jako SK hynix používají podobná řešení (iHBM). Celkově Samsung ukazuje důvěru v ovládnutí technologií pod 1 nm a připravenost splnit požadavky největších klientů.