Intel ve spolupráci se SoftBank plánuje spustit náhradu paměti HBM již do roku 2029

SoftBank a Intel plánují na trh uvést novou paměť Z‑Angle Memory (ZAM) do roku 2029

Jak bude realizováno: zodpovědné společnosti SoftBank – prostřednictvím dceřiné firmy Saimemory, která se bude zabývat vývojem a prodejem. Intel poskytne technologie výroby a balení. Účast dalších hráčů: Fujitsu z Japonska se projektu účastní.

Proč je potřeba Z‑Angle Memory
* Problémy stávající HBM:
- Velmi drahá a energeticky náročná.
- Při růstu objemů výroby HBM trpí klasický DRAM nedostatkem zdrojů.
* Cíl Z‑AM – nabídnout cenově dostupnější, energeticky úspornější alternativu s zachováním vysoké hustoty dat.

Technické vlastnosti
Parametr | Popis
---|---
Struktura | Vrstvy několika vrstev čipů (podobně jako HBM), ale s pokročilejšími metodami balení a architekturou.
Hustota | Jednotlivá kapacita vrstvy je 2‑3krát vyšší než u HBM.
Spotřeba energie | Snížena přibližně na polovinu oproti HBM.
Náklady na výrobu | Očekává se buď zachování současné úrovně cen, nebo snížení až o 40 %.

Technologie balení
* Intel nabízí technologii NGDB (Next‑Generation Die Bonding), která zvyšuje energetickou účinnost paměti ZAM ve srovnání s HBM.
* V prototypů již bylo realizováno osm vrstev DRAM nad základním křemíkem.

Plán spuštění
1. Meziprotočkové prototypy – demonstrace do konce března 2028.
2. Masová výroba – zahájení během následujících 12 měsíců po prezentaci, tedy přibližně k prostřednímu období roku 2029.

Tímto SoftBank a Intel mají v úmyslu rychle rozšířit výrobu Z‑Angle Memory a poskytnout cenově dostupnější a energeticky úspornější variantu paměti pro budoucí vysoce výkonné systémy.