Intel představila technologii 18A‑P: rychlejší, energeticky úspornější a s vylepšeným chlazením

Intel posiluje řadu čipů 18 A a připravuje novou verzi – 18 A‑P

Společnost Intel pokračuje ve velkém výrobním procesu mikročipů postavených na technologickém procesu 18 A (1,8 nm). Zároveň je v práci zlepšená verze tohoto procesu – 18 A‑P, která by měla vstoupit na trh v nejbližších kvartalech.

Co je nového v 18 A‑P?
ParametrPopisTransistoryByly zavedeny dva nové typy RibbonFET s obklopeným spínačem. Umožňují zvyšovat frekvence kritických bloků a zároveň snižovat spotřebu energie v méně náročných částech.Kontrola variabilityZlepšeno řízení rozptylu parametrů krystalů: odchylka „rychlých“ od „pomalých“ se snížila, a rozptyl u středu – kromě desky – se zmenšil.Přepínací napětíPřidáno více variant přepínacího napětí (od 4 do více než 5 párů), což zvyšuje přesnost třídění krystalů a zvyšuje podíl výrobků splňujících specifikace.Thermal managementZesílená tepelná vodivost o ~50 %. To umožňuje kompenzovat vyšší hustotu výkonu tranzistorů s obklopeným spínačem a snižuje degradaci při dlouhodobém zahřívání.Energetická účinnost / výkonnostV porovnání se základním 18 A mohou čipy buď zvýšit efektivitu o 9 % při stejném výkonu, nebo snížit spotřebovaný výkon až o 18 %, přičemž zachovávají stejnou výkonnost a složitost.

Jak to vypadá v praxi
- Zachované geometrické parametry: krok spínače (50 nm) a výšky buněk (180 nm / 160 nm) zůstávají stejné, což umožňuje přenést stávající návrhy z 18 A na 18 A‑P bez zásadních změn. Nicméně pro dosažení maximální efektivity je stále potřeba další optimalizace architektury.

- Optimalizace kovových linek: změněna odpor a kapacita kovů, což ovlivňuje rychlost signálu, spotřebu energie a zpoždění (konkrétní čísla zatím nejsou zveřejněna).

- Zlepšení spolehlivosti: stabilnější minimální pracovní napětí Vmin pro logiku a SRAM zvyšuje kvalitu provozu při nízkých proudech.

Proč je to důležité
1. Pro spotřební zařízení – zvýšení výkonu bez zvýšení tepelných emisí činí čipy atraktivnějšími pro smartphony, notebooky a další přenosné gadgety.

2. Pro servery a datová centra – zlepšená tepelná odvodnost a odolnost vůči vysokým napětím zvyšují spolehlivost při dlouhodobé práci pod zátěží.

3. Ekonomický efekt – růst podílu kvalitního křemína z jedné desky vede ke zvýšení výtěžnosti šetrných produktů, což snižuje výrobní náklady čipů.

Závěr
Intel pokračuje ve vývoji svého procesu 18 A a současně připravuje pokročilejší verzi 18 A‑P. Nové tranzistory RibbonFET, posílená kontrola kvality a zlepšené tepelně vlastnosti slibují významný nárůst efektivity a spolehlivosti, což činí tuto technologii atraktivní jak pro spotřebitelské, tak i pro profesionální trhy.